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微弧氧化膜層生長時，首先在基體表面發生化學反應，生成一層陽極氧化膜。當增大反應電壓時，膜層厚度會進一步增加，厚度會隨之增加。但是當反應電壓增加到一定程度時，膜層會由于不能承受該工作電壓發生放電再擊穿，產生等離子放電。反應的高溫將使膜層發生熔融，基體元素由于處在富氧環境中，將形成氧化物。同時由于是在電解液中，熔融物將瞬間冷凝，在基體表面生成一層陶瓷。陶瓷膜的生成，微弧氧化生產線，將導致工作電壓進一步升高，膜層再次被擊穿，膜層厚度進一步增加。周而復始，輕金屬微弧氧化生產線，膜層得以生長。
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微弧氧化工藝
微弧氧化工藝技術是直接在有色金屬表面原位生成陶瓷層的新技術。微弧氧化工藝技術工藝簡單，對環境污染小，具備很大的性，它制備的膜層特點鮮明，膜層與基體金屬屬于冶金結合，結合牢固，在制備涂層方面具有明顯優勢，微弧氧化技術已被廣泛應用于Al、Ti 和Mg等金屬行業，是一種很有前景的表面處理工藝。
微弧氧化技術工藝特點
微弧氧化從普通陽極氧化發展而來，其裝置包括專門用的高壓電源、氧化槽、冷卻系統和攪拌系統。氧化液大多采用堿性溶液，對環境污染小。溶液溫度以室溫為宜，溫度變化范圍較寬。溶液溫度對微弧氧化的影響比陽極氧化小得多，因為微弧區燒結溫度達幾千度，遠高于槽溫，微弧氧化生產線批發，而陽極氧化要求溶液溫度較低，特別是硬質陽極氧化對溶液溫度限制更為嚴格。微弧氧化工件的形狀可以較復雜，部分內表面也可處理。此外，微弧氧化工藝流程比陽極氧化簡單得多，也是此技術工藝特點之一。
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第7年
